SK hynix 宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存

(资料图片仅供参考)

SK hynix公司宣布成功开发出目前最高规格的下一代人工智能应用DRAM--HBM3E，并表示客户正在对样品进行评估。该公司表示，HBM3E 是 HBM3 的扩展版本，它的成功开发得益于该公司作为业界唯一的 HBM3 大规模供应商所积累的经验。

SK hynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称，最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准，而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面，HBM3E 每秒可处理高达 1.15 TB 的数据，相当于在一秒钟内处理 230 多部每部 5 GB 大小的全高清电影。

此外，通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）尖端技术，该产品的散热性能提高了 10%。它还具有向后兼容性，即使是为 HBM3 准备的系统也可以采用最新产品，而无需修改设计或结构。

SK hynix DRAM产品规划主管Sungsoo Ryu表示，该公司通过开发HBM3E，进一步增强了HBM产品阵容的完整性，从而巩固了其市场领导地位，而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额，SK hynix还将寻求快速的业务转型。"

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